一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法,四川省成都大学 作者:王阿署,曾令艳 ,热管理网专利下载
热管理专利详情：
- 作者：王阿署,曾令艳
- 申请人：成都大学
- 国省名称：四川省
- 公开号：CN110942990A
- 公开日：2020-03-31
- 专利类别：发明公开
- 文件大小：1046.6KB
专利摘要：
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法,在AlGaN/GaN/Si衬底上,使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘；使用电子束蒸发方法淀积欧姆接触电极；采用PECVD的方法生长钝化层；刻蚀源极和漏极处的钝化层；采用PECVD的方法生长金刚石热分散层；使用SiN作为保护层,采用ICP方法刻蚀金刚石层以形成源极、漏极及栅极窗口；刻蚀栅极处的钝化层；电子束蒸发淀积柵极电极。本发明能有效的降低器件的沟道温度,增加器件的漏电流输出,使其得到更好的散热效果。
专利主权项：
1.一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法,其特征在于,包括以下步骤：(1)在AlGaN/GaN/Si衬底上,使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘；(2)使用电子束蒸发方法淀积欧姆接触电极；(3)采用PECVD的方法生长钝化层；(4)刻蚀源极和漏极处的钝化层；(5)采用PECVD的方法生长金刚石热分散层；(6)使用SiN作为保护层,采用ICP方法刻蚀金刚石层以形成源极、漏极及栅极窗口；(7)刻蚀栅极处的钝化层；(8)电子束蒸发淀积柵极电极。
一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法专利下载：
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