- 作者:仲野英一
- 申请人:美光科技公司
- 国省名称:美国
- 公开号:CN110021557A
- 公开日:2019-07-16
- 专利类别:发明公开
- 文件大小:1706.9KB
专利主权项:
1.一种制作半导体装置封装的方法,其包括:在半导体晶片的作用表面上的集成电路的横向间隔区上堆叠半导体裸片,位于所述半导体晶片附近的每一堆叠中的第一半导体裸片通过热压结合连接到所述半导体晶片的集成电路的区,所述半导体裸片的每一堆叠包含在其与所述半导体晶片相对的一侧上暴露的导电元件;经由所述导电元件测试所述半导体裸片的每一堆叠;单个化半导体装置模块,所述半导体装置模块包括所述半导体裸片的堆叠及所述半导体晶片的集成电路的区;将在通过与半导体裸片堆叠相对的集成电路的所述区的导电元件的测试期间确认为起作用的所述半导体装置模块组连接到支撑结构的表面上的对应封装位置的电连接;将所述支撑结构的所述表面上的每一半导体模块至少部分地环绕在模制材料中;以及单个化半导体装置封装,每一半导体装置封装包括一组所述半导体装置模块及所述支撑结构的对应位置。
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