在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理,美国应用材料公司 作者:类维生,P·库玛,B·伊顿,A·库玛 ,热管理网专利下载
热管理专利详情：
- 作者：类维生,P·库玛,B·伊顿,A·库玛
- 申请人：应用材料公司
- 国省名称：美国
- 公开号：CN106716602A
- 公开日：2017-05-24
- 专利类别：发明公开
- 文件大小：3183.9KB
专利摘要：
描述了切割半导体晶片的方法及设备,每一晶片具有多个集成电路。在示例中,切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模,该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧,该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。
专利主权项：
一种切割包含多个集成电路的半导体晶片的方法,所述方法包含以下步骤：将由基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中,所述基板在其上具有经图案化的掩模,所述经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露所述基板的划道,且所述基板载体具有背侧；在所述等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑所述基板载体的所述背侧的至少一部分；冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧,所述冷却的步骤包含以下步骤：由所述夹盘冷却所述基板载体的所述背侧的至少第一部分；以及在执行冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧的同时经由所述划道等离子体蚀刻所述基板以切单所述集成电路。
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