用于大规模处理覆盖玻璃基板的基于CIS和/或CIGS的薄膜的热管理和方法,美国思阳公司 作者:罗伯特D·维廷 ,热管理网专利下载
热管理专利详情：
- 作者：罗伯特D·维廷
- 申请人：思阳公司
- 国省名称：美国
- 公开号：CN102034895A
- 公开日：2011-04-27
- 专利类别：发明公开
- 文件大小：1066290KB
专利摘要：
本发明提供了一种用于大规模处理覆盖玻璃基板的基于CIS和/或CIGS的薄膜的热管理和方法。根据一个实施方式,本发明提供了一种用于制造铜铟二硒化物半导体薄膜的方法。该方法包括提供多个基板,每个基板具有铜和铟复合结构。该方法还包括将多个基板转移到熔炉中,将多个基板中的每一个相对于重力的方向以垂直定向而设置,用数字N来限定多个基板,其中N大于5。该方法进一步包括：将包括硒化物物质和载气的气态物质引入到熔炉中,并将热能转移到熔炉中,以将温度从第一温度提高至第二温度,第二温度在约350℃至约450℃的范围内,以至少在每个基板上开始用铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物薄膜。
专利主权项：
一种用于制造铜铟二硒化物半导体薄膜的方法,包括：提供多个基板,每个所述基板具有铜和铟复合结构；将所述多个基板转移到熔炉中,将所述多个基板中的每一个相对于重力的方向以垂直定向而设置,用数字N来限定所述多个基板,其中N大于5；将包括硒化物物质和载气的气态物质引入到所述熔炉中,并将热能转移到所述熔炉中,以将温度从第一温度提高至第二温度,所述第二温度在约350℃至约450℃的范围内,以至少在每个所述基板上开始用所述铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物薄膜；将温度保持在大约所述第二温度一段时间；从所述熔炉中至少去除残余的硒化物物质；将硫化物物质引入到所述熔炉中；将温度提高至第三温度,所述第三温度在大约500℃至525℃的范围内,同时,将所述多个基板保持在包括硫物质的环境中,以从所述铜铟二硒化物薄膜中提取出一种或多种硒物质。
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