- 作者:M·J·严,A·刘,V·叶帕涅奇尼科夫
- 申请人:英特尔公司
- 国省名称:美国
- 公开号:CN105793979B
- 公开日:2019-05-28
- 专利类别:发明授权
- 文件大小:840.8KB
专利主权项:
1.一种组件,包括:封装衬底;光电子芯片,所述光电子芯片电子耦合至所述封装衬底,所述光电子芯片包括电路集成在其中的表面以用于光信号与电信号之间的转换,其中,所述光电子芯片包括悬突部分以延伸超过所述封装衬底的边缘来悬于所述封装衬底之外;光学耦合器,所述光学耦合器设置在所述悬突部分中以在所述光电子芯片与光学电路之间耦合光,其中,所述光学耦合器用于将光的传播方向改变为与所述电路集成在其中的表面正交;一个或多个结构特征,所述一个或多个结构特征位于所述封装衬底与所述光电子芯片之间以提供底部填充材料的边界,并包括集成在所述光电子芯片上的一个或多个结构特征;以及底部填充材料,所述底部填充材料位于所述光电子芯片与所述封装衬底之间以填充包括电接触部之间的所述光电子芯片与所述封装衬底之间的空间,所述电接触部将所述光电子芯片电子耦合至所述封装衬底,其中,所述底部填充材料受所述一个或多个结构特征的界定,以阻止所述底部填充材料流至悬于所述封装衬底之外的部分。
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